威剛(3260)、創見(2451)、勁永(6145)

就Flash記憶體的結構,主要分成NOR NAND及EE-NOR三大主流架構,其技術特色有些不同。　　NOR形態:這是由英特爾所發展的架構,讀取速度較快,而且可在單位區塊上進行指令的讀取寫入,其特性為高壓電,較長的抹除時間以及較大量的抹除區塊。此類型產品大都應用在程式指令的儲存與讀取/寫入以及ＰＣ　Ｃａｒｄ記憶卡。　　

NAND:由東芝所發展的架構,讀寫資料速度較慢,但是具有較小記憶面積,在相同密度之下,成本較ＮＯＲ型態低。適用於更高容量的產品開發及大量儲存裝置上,可用以替代磁碟機在可攜帶市場的地位,或做為消費性電子產品資料儲存用。　　

EENRO型態：針對ＮＯＲ型態加以改良,使其在相同記憶格面積下,能夠在更小的單位區塊上進行讀取寫入動作。不但可提升整體運作速度,更可滿足低電壓與低功率的運作要求。由於具有ＮＯＲ型態的高速效能,而適用於個人電腦程式指令儲存,能縮短指令讀取寫入時間;此外它還有低電壓和低功率的特性,所以被應用於可攜帶及無線電通訊產品上。

有一句話值得深思..
明年Flash的應用除MP3外，還擴及到數位相機、手機、PDA等消費性電子產品上，應用層面較目前DRAM多用於PC、NB更廣，因此，能否以DRAM的經驗斷然套用在Flash上，有待觀察。